این گزارش تلاش های علمی پیشرو برای افزایش استحکام دی الکتریک دی الکتریک های پلیمری برای ذخیره انرژی و کاربردهای عایق الکتریکی را دنبال می کند. پیشرفت قابل توجهی در طول ۱۵ سال گذشته از طریق مهندسی نانو دی الکتریک شامل نانوپرکننده های معدنی، پوشش ها و ماتریس های پلی مری رخ داده است. این مقاله چالش های پلیمرهای دی الکتریک را به طور عمده در مورد خازن ها و عایق کابل/سیم برجسته می کند. همچنین چندین مورد را خلاصه می کند
رویکردهای فنی اصلی برای افزایش استحکام دی الکتریک پلیمرها و نانوکامپوزیت ها، از جمله ادغام نانوذرات در پلیمرها، مهندسی رابط پلیمر پرکننده، و پوشش سطح فیلم. توجه بیشتر به مشارکت‌های رابط، از جمله طراحی منطقی ساختارهای هسته-پوسته، استفاده از پرکننده‌های کم‌بعد و پرکننده‌های رسانای حرارتی، و پوشش سطح غیرآلی لایه‌های پلیمری معطوف شده است. این تلاش ها افزایش استحکام دی الکتریک را به میزان ۴۰ تا ۱۶۰ درصد هنگام کنترل پرکننده ها نشان داد.
کمتر از ۵ درصد وزنی در کامپوزیت های پلی وینیلیدند دی فلوراید (PVDF). این مقاله همچنین مکانیسم‌های دی‌الکتریک احتمالی و نقش مثبت رابط‌ها در برابر تله‌های انتقال بار برای دستیابی به استحکام شکست بالاتر را مورد بحث قرار می‌دهد. بررسی مواد پرکننده/پوشش کم‌بعد با رسانایی حرارتی بالا می‌تواند موضوعات علمی کلیدی برای تحقیقات آینده باشد.
.Ⓒ 2022 Hesschem, All Rights Reserved
